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    LabCompanion半導(dǎo)體測試,打造高質(zhì)量產(chǎn)品

    質(zhì)量就是產(chǎn)品性能的測量,它回答了一個(gè)產(chǎn)品是否合乎規(guī)格的要求,是否符合各項(xiàng)性能指標(biāo)的問題;可靠性則是對產(chǎn)品耐久力的測量,它回答了一個(gè)產(chǎn)品生命周期有多長,簡單說,它能用多久的問題。所以說質(zhì)量解決的是現(xiàn)階段的問題,可靠性解決的是一段時(shí)間以后的問題。

    知道了兩者的區(qū)別,我們發(fā)現(xiàn),質(zhì)量的問題解決方法往往比較直接,設(shè)計(jì)和制造單位在產(chǎn)品生產(chǎn)出來后,通過簡單的測試,就可以知道產(chǎn)品的性能是否達(dá)到規(guī)格的要求,這種測試在IC 的設(shè)計(jì)和制造單位就可以進(jìn)行。相對而言,Reliability 的問題似乎就變的十分棘手,這個(gè)產(chǎn)品能用多久,誰能保證產(chǎn)品今天能用,明天就一定能用?

    為了解決這個(gè)問題,人們制定了各種各樣的標(biāo)準(zhǔn),如: JESD22-A108-A、EIAJED-4701-D101。

    01

    生命周期

    在介紹一些目前較為流行的可靠性的測試方法之前,我們先來認(rèn)識一下IC 產(chǎn)品的生命周期。典型的IC 產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線來表示。

    Region (I) 被稱為早夭期(Infancy period)

    這個(gè)階段產(chǎn)品的failure rate 快速下降,造成失效的原因在于IC 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中的缺陷

    Region (II) 被稱為使用期(Useful life period)

    在這個(gè)階段產(chǎn)品的failure rate保持穩(wěn)定,失效的原因往往是隨機(jī)的,比如溫度變化等等

    Region (III) 被稱為磨耗期(Wear-Out period)

    在這個(gè)階段failure rate 會(huì)快速升高,失效的原因就是產(chǎn)品長期使用所造成的老化等

    認(rèn)識了典型IC產(chǎn)品的生命周期,我們就可以看到,Reliability的問題就是要力圖將處于早夭期failure 的產(chǎn)品去除并估算其良率,預(yù)計(jì)產(chǎn)品的使用期,并且找到failure的原因,尤其是在IC 生產(chǎn),封裝,存儲等方面出現(xiàn)的問題所造成的失效原因。

    02

    可靠性等級測試

    下面就是一些東芯產(chǎn)品可靠性等級測試項(xiàng)目:

    使用壽命測試項(xiàng)目

    EFR, HTOL, LTOL

    01

    ① EFR:早期失效等級測試

    目的: 評估工藝的穩(wěn)定性,加速缺陷失效率,去除由于天生原因失效的產(chǎn)品

    測試條件: 在特定時(shí)間內(nèi)動(dòng)態(tài)提升溫度和電壓對產(chǎn)品進(jìn)行測試

    失效機(jī)制:材料或工藝的缺陷,包括諸如氧化層缺陷,金屬刻鍍,離子玷污等由于生產(chǎn)造成的失效

    ② HTOL/ LTOL:高/低溫操作生命期試驗(yàn)

    目的: 評估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力

    測試條件: 125℃,1.1VCC, 動(dòng)態(tài)測試

    失效機(jī)制:電子遷移,氧化層破裂,相互擴(kuò)散,不穩(wěn)定性,離子玷污等

    02

    環(huán)境測試項(xiàng)目

    PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, Solder Heat Test

    ① PRE-CON: 預(yù)處理測試

    目的: 模擬IC 在使用之前在一定濕度,溫度條件下存儲的耐久力,也就是IC 從生產(chǎn)到使用之間存儲的可靠性

    測試流程

    Step 1: 超聲掃描儀SAM

    Step 2: 高低溫循環(huán)

    Step 3: 烘烤

    Step 4: 浸泡

    Step5: 回流焊

    Step6:超聲掃描儀SAM

    失效機(jī)制: 封裝破裂,分層

    ②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試

    目的: 評估IC 產(chǎn)品在高溫,高濕,偏壓條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進(jìn)程

    測試條件: 85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias

    失效機(jī)制:電解腐蝕

    ③HAST: 高加速溫濕度及偏壓測試

    目的: 評估IC 產(chǎn)品在偏壓下高溫,高濕,高氣壓條件下對濕度的抵抗能力,加速其失效過程

    測試條件: 130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm

    失效機(jī)制:電離腐蝕,封裝密封性

    ④ PCT: 高壓蒸煮試驗(yàn)

    目的: 評估IC 產(chǎn)品在高溫,高濕,高氣壓條件下對濕度的抵抗能力,加速其失效過程

    測試條件: 130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)

    失效機(jī)制:化學(xué)金屬腐蝕,封裝密封性

    ⑤ TCT: 高低溫循環(huán)試驗(yàn)

    目的: 評估IC 產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動(dòng)的空氣從高溫到低溫重復(fù)變化

    測試條件:

    Condition B:-55℃ to 125℃

    Condition C: -65℃ to 150℃

    失效機(jī)制:電介質(zhì)的斷裂,導(dǎo)體和絕緣體的斷裂,不同界面的分層

    ⑥ TST: 高低溫沖擊試驗(yàn)

    目的: 評估IC 產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復(fù)變化

    測試條件:

    Condition B: - 55℃ to 125℃

    Condition C: - 65℃ to 150℃

    失效機(jī)制:電介質(zhì)的斷裂,材料的老化(如bond wires), 導(dǎo)體機(jī)械變形

    * TCT與TST 的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測試,而TST偏重于晶圓的測試

    ⑦ HTST: 高溫儲存試驗(yàn)

    目的: 評估IC 產(chǎn)品在實(shí)際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時(shí)間

    測試條件: 150℃

    失效機(jī)制:化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng),Au-Al 共金效應(yīng)

    ⑧ 可焊性試驗(yàn)

    目的: 評估IC leads 在粘錫過程中的可靠度

    測試方法:

    Step1:蒸汽老化8 小時(shí)

    Step2:浸入245℃錫盆中 5秒

    失效標(biāo)準(zhǔn):至少95%良率

    ⑨ SHT Test:焊接熱量耐久測試

    目的: 評估IC 對瞬間高溫的敏感度

    測試方法: 侵入260℃ 錫盆中10 秒

    失效標(biāo)準(zhǔn):根據(jù)電測試結(jié)果

    耐久性測試項(xiàng)目

    Endurance cycling test, Data retention test

    03

    ① 周期耐久性測試

    目的: 評估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能

    測試方法: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲單元,在擦除數(shù)據(jù),重復(fù)這個(gè)過程多次

    測試條件: 室溫,或者更高,每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100k~1000k

    ② 數(shù)據(jù)保持力測試

    目的: 在重復(fù)讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲節(jié)點(diǎn)的電荷損失

    測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory 存儲單元后,多次讀取驗(yàn)證單元中的數(shù)據(jù)

    失效機(jī)制:150℃

    03

    自主清晰的知識產(chǎn)權(quán)

    在了解上述的IC 測試方法之后,IC 的設(shè)計(jì)制造商就需要根據(jù)不同IC 產(chǎn)品的性能,用途以及需要測試的目的,選擇合適的測試方法,最大限度的降低IC測試的時(shí)間和成本,從而有效控制IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠度。

    正是因?yàn)榭煽啃匀绱酥匾詵|芯半導(dǎo)體從始至終在保證產(chǎn)品質(zhì)量的前提下不斷鉆研來提升產(chǎn)品可靠性,到目前為止,已經(jīng)總結(jié)出許多經(jīng)驗(yàn)并且有部分技術(shù)已經(jīng)成功申請專利。

    #

    NAND Flash局部自電位升壓操作方法

    可通過對測試數(shù)據(jù)的分析,結(jié)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)總結(jié)的經(jīng)驗(yàn)公式,快速準(zhǔn)確的確定適合特定工藝的具體實(shí)施方法

    #

    NAND Flash中內(nèi)置8比特ECC技術(shù)

    通過設(shè)計(jì)定制化數(shù)字邏輯單元庫,并不斷優(yōu)化算法,最后仿真驗(yàn)證,得到了使用閃存工藝實(shí)現(xiàn)的內(nèi)置ECC模塊

    #

    NOR Flash提高擦除可靠性技術(shù)

    通過設(shè)計(jì)優(yōu)化減小每次數(shù)據(jù)擦除的最小單位,已達(dá)到降低擦除后數(shù)據(jù)發(fā)生偏移的情況,可以顯著提高產(chǎn)品可靠性

    #

    NOR Flash數(shù)據(jù)自動(dòng)刷新技術(shù)

    通過檢測單元實(shí)時(shí)電壓來監(jiān)控是否有超規(guī)范的趨勢,當(dāng)超過設(shè)定的警戒值后,單元會(huì)自動(dòng)刷新數(shù)據(jù),以保證數(shù)據(jù)不會(huì)超規(guī)范,可以顯著提高產(chǎn)品可靠性

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